[오로스테크놀로지] 사업보고서 내용 공부

2020년에 오로스테크놀로지에 대한 관심이 있었고.. 올해 초 상장을 한 뒤에 너무 고평가라 판단하여 관심종목에만 넣어두고 가끔 주가 추이를 확인하던 중.. 상장 후 오버벨류가 어느정도 해소되었다는 판단 하에 다시 동사에 대한 공부를 하고자 한다.

 

2Q21 반기보고서에서 하기 내용을 색출하였다. 필자가 동사에 대하여 공부하면서 필요한 내용만을 복사하여 붙여넣기 한다.

II. 사업의 내용

1. 사업의 개요

당사는 반도체 제조 전공정 중 노광공정 장비인 반도체 Wafer의 MI(Metrology, Inspection) 장비 제조를 주력 사업으로 영위하는 업체로써 관련 원천기술을 다수 보유하고 있으며, 경쟁기업들의 제품과 비교하여 우수한 성능 및 가격 경쟁력, 신속한 고객대응 서비스를 보유하여 MI(Metrology, Inspection) 장비와 관련하여 반도체 장비의 국산화를 성공시켰습니다. 당사의 제품 중 가장 많은 매출 비중을 차지하고 있는 Overlay 계측 장비는 반도체 공정상 회로패턴이 수없이 적층 되는 과정에서 하부 패턴과 상부 패턴 간의 정렬상태를 정밀하게 계측하는 장비로서, 미세화 공정이 심화됨에 따라 요구 기술력이 급격히 높아져 현재 당사와 미국의 KLA 단 두기업만이 시장(IBO)에 참여하고 있습니다. 당사의 제품은 후발주자임에도 불구하고 반도체 장비 계측기 성능지표인 정확성과 반복재현성에서 뛰어난기술력 및 품질을 보유하고 있습니다. 이에 따라 세계적인 반도체 소자업체에 납품되어 현재 반도체 노광공정에 사용 중에 있으며 반도체 제조 기술의 발전에 발 맞추어 Overlay 계측 기술의 고도화를 진행하고있습니다. 반도체 계측장비는 12인치 웨이퍼표준화 이후 DRAM의 미세화 진행 및 NAND의 단수 증가로 메모리 업체의 제조 비용 축소 및 성능 향상을 위해 필수적인 장비가 되었으며, 이에 따라 반도체를 제작하기 위한 공정수는 증가하고 그에 따라 필요한 장비의 규모도 증가하게 됩니다. 따라서, 계측장비의 수요 또한 증가할 것으로 예측하고 있으며, 글로벌 기업의 성장성 또한 확인되고 있습니다. 당사는 OVRLAY 계측장비를 국내의 반도체 고객사에 성공적으로 납품하면서 실적이 큰 폭으로 증가하였으며, OVERLAY 계측장비 국산화의 선두주자 입니다.

당반기의 매출액은 30,264백만원이며, 이 중 83.2%는 내수이며, 16.8%는 수출입니다. 또한, 당반기의 영업이익은 9,539백만원이며 이는 전동기 대비 흑자전환 입니다.주요 제품인 OVERLAY 12inch은 전체매출의 95.6%를 차지하고 있으며, 서비스매출 및 Inspection 등 기타에서 발생하는 매출은 전체매출의 4.4%를 차지하고 있습니다.

당사는 21년 2월 24일 코스닥 시장에 상장되었으며, 코스닥 상장 공모자금을 연구개발, 시설투자 및 운영자금에 사용 및 투자하여 미래 성장동력을 찾고자 활발한 활동을 진행하고 있습니다.

신규 개발중인 장비는 반도체 제조공정에서 증착되는 박막(ThinFilm)의 두께를 Angstrom단위(원자크기의 수십분의 일)의 정밀도까지 측정할수 있는 초정밀 계측장치이다. 반도체 공정이 미세화되고, 다 적층화 됨에따라 박막의 측정 요구는 기술적으로 복잡해짐과 함께 수요가 증가하고 있는 현실입니다. Front-end공정에서 박막계측장비는 높은 기술장벽이 존재하기 때문에, 그동안 국내업체에서 진입하기에는 어려움이 있었지만, 우수한 기술인력을 확보하여 금년 10월부터 신공장 입주와 함께 Pilot 시스템 제조를 시작하여, 2022년 말까지 제품개발을 목표로 진행하고 있습니다. 신규장비의 경우 식각, 증착공정뿐 아니라 평탄화공정등 대부분의 공정에서 사용되기 때문에 적용범위가 다양하여 OVERLAY 계측장비 시장의 약 2배 이상으로 추정하고 있습니다. 이는 당사의 중장기 성장동력으로 자리 잡을 것으로 예상하고 있습니다.

 

SK증권 레포트상에서는 세계적으로 3사(KLA, ASML, 동사)만이 본 시장에서 장비를 공급한다고 했었는데.. 본 사업보고서상에서는 KLA + 동사 만이 시장에 참여중이라고 한다.

 

참고로 peer그룹이라고 나와있는.. KLA 에 대해서 간단히 알아보자.

 

FWD EPS : $19.29

FWD PER : 18.48배

로 나와있으며.. 주가는 1년간 약 2배.. 5년간 약 5배의 상승이 있었다. 

동사는 후발주자이므로.. FWD EPS를 산정하고.. 멀티플 15배 수준으로 목표를 잡으면 어떨까 한다. (단순하게 경쟁업체와의 비교를 통한 계산)

하지만 시장에서 21년 이후의 컨센서스가 나와있지 않은 상태이므로.. 2H21 실적에 대한 예상을 통한 예상 EPS를 구해야 할 것 같다.

 

7. 기타 참고사항

가. 회사의 현황

(1) 회사의 개황
당사는 반도체 제조 전공정 중 노광공정 장비인 반도체 Wafer의 MI(Metrology, Inspection 계측, 검사) 장비 제조를 주력 사업으로 영위하는 업체로써 관련 원천기술을 다수 보유하고 있으며, 경쟁기업들의 제품과 비교하여 우수한 성능 및 가격 경쟁력, 신속한 고객대응 서비스를 보유하여 MI(Metrology, Inspection) 장비와 관련하여 반도체 장비의 국산화를 이룩하고 있습니다.
당사의 제품 중 가장 많은 매출 비중을 차지하고 있는 Overlay 계측 장비는 반도체 공정상 회로패턴이 수없이 적층 되는 과정에서 하부 패턴과 상부 패턴 간의 정렬상태를 정밀하게 계측하는 장비로서, 미세화 공정이 심화됨에 따라 요구 기술력이 급격히 높아져 현재 당사와 미국의 KLA 단 두기업만이 시장(IBO)에 참여하고 있습니다. 
당사의 제품은 후발주자임에도 불구하고 반도체 장비 계측기 성능지표인 정확성과 반복재현성에서 뛰어난 기술력 및 품질을 보유하고 있습니다. 이에 따라 세계적인 반도체 소자업체에 납품되어 현재 반도체 노광공정에 사용 중에 있으며 반도체 제조 기술의 발전에 발 맞추어 Overlay 계측 기술의 고도화를 진행하고있습니다.

(2) 반도체 전공정 Overlay 계측장비의 개요
오버레이란(Overlay), 반도체 제조 공정상의 회로패턴들의 적층 과정에서, 이전 공정에서 제작된 회로패턴과 현재 공정에서 제작된 회로패턴 간의 수직방향 정렬도(혹은 오정렬) 및 정렬도의 제어(Overlay Control)를 의미합니다.
Wafer에 회로를 구성하기 위해 확산, 노광, 식각, 증착 등 여러 공정을 반복해서 시행함으로써 전자회로를 구성해 나가는데, 이 과정에서 Wafer 표면에 여러 종류의 막이 약 70층으로 적층 되게 됩니다. 

이때 상부와 하부의 전자회로 패턴(Pattern)이 정확하게 일치하여야 반도체 성능에 문제가 생기지 않습니다. Pattern이 일치하지 않아 발생하는 에러로는 Overlay Error(회로 층간 정렬 차이)와 Critical Dimension Error(회로 간 간격 차이)가 있으며 Overlay 측정은 상하부 Pattern의 위치가 정확하게 정렬되어 설계대로 연결이 되는지 측정하는 것입니다.
즉, 반도체 제조공정의 가장 높은 수준의 기술난이도를 가지고 있는 노광공정에 대한모니터링과 제어 기능을 제공하고 있습니다.

Overlay Error가 발생하는 경우 상당한 반도체 칩 수율 손실이 발생하게 되며 반도체 공정 기술이 발달함에 따라 Overlay 계측단계가 빠르게 증가하고 있기 때문에 Overlay Error 계측을 위한 Overlay 제어의 중요성이 크게 대두되고 있습니다. 동시에 미세화 공정이 심화됨에 따라 관련 장비 기술의 기술장벽이 급격히 높아지는 추세에 있습니다.


나. 제품설명

(1) Overlay 전문 계측 장비(전공정)

Overlay 계측 장비는 반도체 공정에서 전기신호를 전달하기 위해 여러 층으로 적층 되는 패턴이 제대로 정렬 됐는지를 측정하는 역할을 수행합니다. 노광장비를 통해 패턴이 한 장 쌓일 때마다 Overlay 계측을 통해 나노 단위로 오차를 파악하여 노광기의 위치를 보정하게 됩니다. 경쟁력 요소는 정밀도(TMU, TIS), 속도(MAM time), 램프수명, 해상력 등이 있습니다.

당사의 Overlay 계측 장비는 300mm(12inch) 웨이퍼 전용장비로써 개발되었습니다. 반도체 회로패턴 미세화의 핵심이 되는 노광기술의 발전과 함께, 더 정밀한 수직적층 정렬도 계측을 위하여 매 2~3년마다 새로운 기술/기능/장비를 출시하고 있습니다. 경쟁력 요소는 계측 정밀도(TMU), 계측 속도(MAM time), 유지보수비용, 기타 옵션 등이 있습니다.
반도체 제조 기술은 크게 두 가지 기술트렌드를 가지고 있습니다. 하나는 전력사용량 및 속도향상을 위한 선폭축소입니다. 이때 필요한 Overlay 계측 기술수요는 줄어든 선폭에 맞춰 더 정확한 계측을 가능하게 하는 계측 정밀도 및 반복재현성입니다. 다른 하나는 선폭축소의 물리적/기술적 한계를 극복하는 대안으로써의 적층기술(Vertical Stacking)입니다. 대표적으로 3D NAND flash memory 제조업체들은 경쟁력 확보를 위해 적층수 경쟁을 하고 있습니다.

필자의 코멘트 : 최근 NAND 적층이 128단 이상으로 적용이 되고 있는 상황이라.. 기존 x, y축 측정 관련 기술보다.. Z축 관련 측정 기술의 필요도가 높아질 것으로 예상된다. (사업보고서상에서도 박막 두께를 옹스트롬 단위로 측정 할 수 있는 장비를 신규 개발중이라고 하였으며.. 본 장비 개발이 완료된다면.. 기존 오버레이 계측 장비 시장의 2배 수준의 시장에 공급이 될 것이라고 나와있음. sk, 마이크론이 모두 176단 nand flash 개발이 완료되었으며.. 삼성의 경우 200단 이상의 nand flash개발을 발표하였다.) 만약 사업보고서상에 나와있는 옹스트롬 단위 박막 두께 측정 장비가 상용화 된다면.. 동사의 벨류는 퀀텀점프 할 수 있다고 생각된다.

참고로.. 1Q21 낸드 점유율은.. 삼성 33.5% / 키옥시아 18.7% / 웨스턴디지털 14.7% / sk 12.3% / micron 11.1% / 인텔 8.6% 였음. (sk가 인텔 nand 인수를 완료하는 시점에는.. sk가 약 20% 수준의 점유율을 가질 것이라 예상함) 

(2) 후공정 Overlay & Critical Dimension(CD) 계측 장비

당사 Overlay & CD 계측장비는 TSV(Through Silicon Via)라는 후공정에서 사용됩니다. 소정의 패턴이 형성된 웨이퍼 표면을 측정하는 방법에 있어서, 웨이퍼 상에 형성된 패턴으로 광을 조사하고, 상기 조사된 광이 상기 패턴에 반사되면, 그 빛과 초기 설정 값 사이의 비대칭한 정도를 수치화 합니다.
Overlay전용 장비와 CD겸용 장비의 차이점은 적용 기술입니다. 초미세화된 장치에서사용하는 CD측정은 해상도는 높지만 속도가 느린 SEM(Scanning Electron Microscope)을 이용해야 하지만 당사는 해상도는 다소 떨어지나 속도가 빠른 Imaging CD를 적용하고 있습니다. 그러므로 전공정에서의 CD계측은 당사 제공 기술로는 경쟁력이 없으나 후공정에서는 SEM대비 속도 측면에서 경쟁력이 있고 공정 마진이 충분하여 경쟁력을 갖추고 있습니다.

 

본 Critical Dimension 계측 장비에 대한 설명은 이해가 잘 되지 않는다. 

추가적인 공부가 필요하다. ㅜ.,ㅜ

 

전체 포트폴리오 중 반도체관련 비중이 가장 높은 상태이나.. 반도체 생태계가 너무 복잡해서.. 매번 공부를 해도 끝이 없는 것 같다. ㅜ.,ㅜ

 

그래서..결론은??

좀 더 열심히 공부해보자~